高低溫低氣壓試驗箱是測試低氣壓試驗的主要設備，它可以在高溫和低溫和低壓的單一或同時作用下執(zhí)行存儲和運輸可靠性測試，并且可以同時測試試件的電氣性能參數(shù)。

而電子元器件使用高低溫低氣壓試驗箱做試驗的目的及參考試驗標準如下：

一、測試目的：通用低壓測試有三種測試目的：

1）確定產(chǎn)品在常溫下是否能承受低壓環(huán)境，并在低壓環(huán)境下能正常工作。并且能夠承受氣壓的快速變化。

2）確定組件和材料在室溫下在低壓下承受電擊穿的能力，確定密封組件在不損壞的情況下承受壓差的能力，并確定低壓對組件工作特性的影響。

3）確保當組件和材料的氣壓降低時，由于空氣和其他絕緣材料的絕緣強度而降低了抗電擊穿能力

 二、參考試驗標準：

1） G J B 150．2A一2009《軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法第二部分低氣壓( 高度） 試驗》;

2） G J B 360B一2009《電子及電氣元件試驗方法方法105低氣壓試驗》( 等效美軍標M IL—STD一202F） ;

3） G J B 548B一2005《微電子器件試驗方法和程序方法1001低氣壓( 高空作業(yè)） 》標M IL—STD一883D）; 

4） G B2421—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗總則》;

5）G B／T 2423，21—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗M 低氣壓試驗方法》；

6） G B／T 2423．25—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Z／AM 低溫／低氣壓綜合試驗方法;

7）G B／T 2423、26—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Z／BM 高溫／低氣壓綜合試驗方法》；

8） G B2423．27—2005《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Z／AM D 高溫／低氣壓綜合試驗方法》；

9） G B／T 2424．15—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程》。

10） GB 11159-1989 低氣壓試驗箱技術(shù)條件 標準

三、試驗條件：

試驗壓力

GJB 548列出了總共A、 B、 C、 D、 E、 F、 G7在不同條件下的不同大氣壓值，并且給定的測試條件具有一定的規(guī)律性，隨著飛行高度從低到高，壓力價值從大到小變化； GJB 360給出A、 B、 C、 D、 E、 F、 G、 H、 I、 J 10不同條件下的海拔壓力值，以及所列的海拔-氣壓計從A到E的測試條件具有一定的規(guī)律性。隨著飛行高度從低到高變化，氣壓值從大到小變化，但是從測試條件F到測試條件J沒有規(guī)律性。與GJB 548中列出的測試條件相比，GJB 360測試條件從條件H為測試條件J，相應的氣壓和海拔條件為：H：3000m 70kPa； J：18 000m，7、 6kPa； K：25 000m，2、 5 kPa。

2）測試時間GJB 360B-2009規(guī)定：如果沒有其他要求，可以從以下值中選擇低壓下的測試樣品測試時間：5min、 30min、 1h、 2h、 4h和16h。

3）升降壓率通常不超過10kPa/min三個、

四、問題與措施

1、問題

低壓測試期間組件可能暴露的缺陷包括：絕緣（電離、放電和介電損耗）和結(jié)點熱缺陷。

2、措施

1在低壓條件下，很容易產(chǎn)生排放。有必要加強絕緣電極和表面的絕緣。灌封過程是一種有效的解決方案。

2）組件的熱設計必須充分考慮低壓引起的溫度上升。